Silisyum Karbür Üretim Teknolojisi
video
Silisyum Karbür Üretim Teknolojisi

Silisyum Karbür Üretim Teknolojisi

Şekil: Topak / Toz Şekli
Refrakter İçin Silisyum Karbür Tozu

Açıklama

 

Tanım

Silisyum karbür (SiC), üstün kimyasal ve fiziksel özelliklerinden dolayı elektronik dünyasında popüler bir malzemedir. MOSFET'ler, diyotlar ve güç modülleri gibi elektronik bileşenlerin üretiminde kullanılır.
SiC üretimi uzmanlık ve özel ekipman gerektiren karmaşık bir süreçtir. SiC üretimi için kullanılan en yaygın yöntem, kok ve kum karışımının elektriğe dirençli bir fırında ısıtılmasını içeren Acheson işlemidir. Reaksiyon, daha sonra ezilip boyutlarına ve kalitesine göre sınıflandırılan SiC kristallerinin oluşmasıyla sonuçlanır.
SiC üretimi için kullanılan diğer bir yöntem, kimyasal buhar biriktirme (CVD) işlemidir. Bu yöntem, silan (SiH4) ve metan (CH4) gibi reaktif gazların vakum odasında reaksiyonunu içerir. Reaksiyon, silikon levha gibi bir substrat üzerinde bir SiC tabakası üretir.

Şartname
Modeli Bileşen yüzdesi
60# Sic F.C Fe2O3
65# 60 dakika 15-20 8-12 3,5maks
70# 65 dakika 15-20 8-12 3,5maks
75# 70 dakika 15-20 8-12 3,5maks
80# 75 dakika 15-20 8-12 3,5maks
85# 80 dakika 3-6 3,5maks
90# 85 dakika 2,5maks 3,5maks
95# 90 dakika 1.0maks. 1,2maks
97# 95 dakika 0.6maks 1,2maks

 

 

 

Son yıllarda SiC üretim teknolojisi, PVT (fiziksel buhar aktarımı) ve HTCVD (sıcak duvar termal kimyasal buhar biriktirme) işlemleri gibi yeni SiC kristal büyütme yöntemlerinin kullanıma sunulmasıyla ilerlemiştir. Bu işlemler, Acheson işlemine kıyasla daha az kusurla daha büyük ve daha düzgün SiC kristallerinin üretilmesini sağlar.
SiC imalat endüstrisi, yüksek güç, yüksek sıcaklık ve yüksek frekans performansı gerektiren elektronik cihazlara olan talebin artması nedeniyle büyümeye devam ediyor. SiC bileşenlerinin kullanımı, güç kayıplarını azaltarak, verimliliği artırarak ve boyut ve ağırlığı azaltarak bu talepleri karşılayabilir.
Sonuç olarak SiC üretim teknolojisi elektronik endüstrisinin önemli bir bileşenidir. SiC kristal büyütme yöntemlerindeki gelişmelerle birlikte SiC bileşenlerinin üretiminin önümüzdeki yıllarda da artmaya devam etmesini bekleyebiliriz. Bu, yüksek güç ve yüksek sıcaklıktaki ortamlara daha uygun, daha verimli elektronik cihazların ortaya çıkmasına neden olacaktır.

SSS

S: Ürünlerin kalitesini nasıl kontrol ediyorsunuz?
C: Gelişmiş test cihazına sahip kendi laboratuvarımız var. Ürünler, malların nitelikli olduğunu garanti etmek için sevkıyattan önce sıkı bir şekilde kontrol edilecektir.

S: Özel ölçülerde üretim yapıyor musunuz?
C: Evet, ihtiyacınıza göre parçalar yapabiliriz.

S: Stokta var mı ve teslimat süresi nedir?
C: Müşterilerin gereksinimlerini karşılamak için uzun vadeli bir stok stoğumuz var. Malları 7 gün içinde gönderebiliriz ve özelleştirilmiş ürünler 15 gün içinde sevk edilebilir.

S: Deneme siparişinin MOQ'u nedir?
C: Limit yok, durumunuza göre en iyi öneri ve çözümleri sunabiliriz.

 

 

 

 

Popüler Etiketler: silisyum karbür üretim teknolojisi

Bunları da sevebilirsiniz

Alışveriş çantaları